Энергетический спектр дырок в сильнолегированном PbTe

Авторы

  • Сергей Александрович Немов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» https://orcid.org/0000-0001-7673-6899
  • Зиновий Дашевский Университет имени Бен-Гуриона https://orcid.org/0000-0001-9268-4873
  • Виктория Юрьевна Проклова Забайкальский государственный университет
  • Никита Александрович Михайлов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

DOI:

https://doi.org/10.33910/2687-153X-2023-4-4-203-209

Ключевые слова:

PbTе, энергетический спектр дырок, примеси Tl и Na, стабилизация уровня Ферми, модификация зонного спектра

Аннотация

Исследованы электрофизические свойства серии образцов PbTe, легированных Tl и дополнительной примесью Na. Наблюдаемые особенности температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла объясняются в рамках модели резонансных состояний таллия с учетом сложного строения валентной зоны. Показано, что представления об идеальном кристалле и зонной структуре в рамках одноэлектронного приближения недостаточно для объяснения экспериментальных данных по эффекту Холла. Необходимо учитывать модификацию энергетического спектра с учетом статистического распределения примесей и дефектов и дополнительного взаимодействия частиц.

Библиографические ссылки

Abrikosov, N. Kh., Shelimova, L. E. (1975) Poluprovodnikovye materialy na osnove soedinenii AIVBVI [Semiconductor materials based on compounds AIVBVI]. Moscow: Nauka Publ., 195 p. (In Russian)

Gol’tsman, B. M., Kudinov, V. A., Smirnov, I. A. (1972) Poluprovodnikovye termoehlektricheskie materialy na osnove Bi2Te3 [Semiconductor thermoelectric materials based on Bi2Te3]. Moscow: Nauka Publ., 320 p. (In Russian)

Kaidanov, V. I., Nemov, S. A. (1981) Vliyanie primesej talliya na rasseyanie dyrok v telluride svintsa [Effect of thallium impurities on hole scattering in lead telluride]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov — Semiconductors, 15 (3), 542–550. (In Russian)

Kaidanov, V. I., Nemov, S. A., Parfen’ev, R. V., Shamshur, D. V. (1982) Vliyanie dopolnitel’nogo legirovaniya aktseptornoj primes’yu na sverkhprovodyashchij perekhod v PbTe [The effect of additional doping with an acceptor impurity on the superconducting transition in PbTe]. Pis’ma v ZhEHTF — JETP Letters, 35, 517–519. (In Russian)

Nemov, S. A., Osipov, P. A., Proshin, V. I. et al. (2000) Sverkhprovodimost’ splavov Sn0.62Pb0.33Ge0.05Te, legirovannykh In [Superconductivity of In-doped Sn0.62Pb0.33Ge0.05Te alloys]. Fizika tverdogo tela — Physics of the Solid State, 42 (7), 1180–1182. (In Russian)

Nemov, S. A., Ravich, Yu. I. (1998) Primes’ talliya v khal’kogenidakh svintsa: metody issledovaniya i osobennosti [Thallium dopant in lead chalcogenides: Investigation methods and peculiarities]. Physics–Uspekhi — Advances in Physical Sciences, 168 (8), 817–842. https://doi.org/10.1070/pu1998v041n08abeh000427 (In Russian)

Ravich, Yu. I., Efimova, B. A., Smirnov, I. A. (1968) Metody issledovaniya poluprovodnikov v primenenii k khal’kogenidam svintsa PbTe, PbSe i PbS [Methods of semiconductor research applied to lead chalcogenides PbTe, PbSe and PbS]. Moscow: Nauka Publ., 383 p. (In Russian)

Shamshur, D. V., Nemov, S. A., Parfen’ev, R. V. et al. (2008) Nizkotemperaturnaya provodimost’ i effekt Kholla v poluprovodnikovykh tverdykh rastvorakh (PbzSn1−z)0.84In0.16Te [Low−temperature conductivity and Hall effect in Semiconductor Solid solutions (PbzSn1−z)0.84In0.16Te]. Fizika tverdogo tela — Physics of the Solid State, 50 (11), 1948–1952. (In Russian)

Volkov, B. A., Pankratov, O. A., Sazonov, A. V. (1983) Teoriya elektronnogo energeticheskogo spektra poluprovodnikov AIVBVI [Theory of the electronic energy spectrum of semiconductors AIVBVI]. Zhurnal eksperimental’noj i teoreticheskoj fiziki — Journal of Experimental and Theoretical Physics, 85 (4), 1395–1408. (In Russian)

Volkov, B. A., Pankratov, O. A., Sazonov, A. V. (1984) Zonnaya struktura tverdykh rastvorov na osnove soedinenij AIVBVI [Band structure of solid solutions based on compounds AIVBVI]. Fizika tverdogo tela — Physics of the Solid State, 26 (2), 430–435. (In Russian)

Zakharov, A. Yu. (2015) Teoriya elektronnoj struktury poluprovodnikovykh tverdykh rastvorov zameshcheniya. Analiticheskie podkhody. Obzor [Theory of the electronic structure of semiconductor solid substitution solutions. Analytical approaches. Review]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov — Semiconductors, 49 (7), 865–886. (In Russian)

Загрузки

Опубликован

2023-12-08

Выпуск

Раздел

Physics of Semiconductors