Локальная структура аморфных и кристаллических пленок Ge2Sb2Te5
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2021-2-2-61-67Ключевые слова:
мессбауэровская спектроскопия, фазовая память, Ge2Sb2Te5, локальная структура, рентгенофлуоресцентный анализАннотация
Эффективным способом изучения структурных изменений в твердых телах является мессбауэровская спектроскопия. Основным требованием к мессбауэровским зондам, используемым для этих целей, является возможность их локализации в определенном узле кристаллической решетки или в структурной сетке аморфного материала. В случае, когда абсорбционная спектроскопия используется для изучения локальной структуры кристаллических и аморфных пленок Ge2Sb2Te5, это требование выполняется для изотопа 119Sn. Атомы олова 119Sn изовалентно замещают атомы германия в структуре как стеклообразных, так и кристаллических теллуридов германия. Абсорбционная мессбауэровская спектроскопия на примесных центрах 119Sn показала, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge2Sb2Te5 имеют различную локальную симметрию (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической).
Библиографические ссылки
Bobokhuzhaev, K., Marchenko, A., Seregin, P. (2020) Structural and antistructural defects in chalcogenide semiconductors. Mossbauer spectroscopy. S. l.: LAP Lambert Academic Publ., 282 p. (In English)
Hu, C., Yang, Z., Bi, C. et al. (2020) “All-crystalline” phase transition in nonmetal doped germanium–antimony– tellurium films for high-temperature non-volatile photonic applications. Acta Materialia, 188, 121–130. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2020.02.005 (In English)
Kato, T., Tanaka, K. (2005) Electronic properties of amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films. Japanese Journal of Applied Physics. Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers, 44 (10R), 7340–7344. https://doi.org/10.1143/JJAP.44.7340 (In English)
Kolobov, A. V., Fons, P., Frenkel, A. I. et al. (2004) Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media. Nature Materials, 3 (10), 703–708. https://doi.org/10.1038/nmat1215 (In English)
Marchenko, A. V., Seregin, P. P., Terukov, E. I., Shakhovich, K. B. (2019) Antisite defects in Ge–Te and Ge–As–Te semiconductor glasses. Semiconductors, 53 (5), 711–716. https://doi.org/10.1134/S1063782619050166 (In English)
Micoulaut, M., Gunasekera, K., Ravindren, S., Boolchand, P. (2014) Quantitative measure of tetrahedral-sp3 geometries in amorphous phase-change alloys. Physical Review B, 90 (9), article 094207. https://doi.org/10.1103/ PhysRevB.90.094207 (In English)
Seregina, L. N., Nasredinov, F. S., Melekh, B. T. et al. (1977) Issledovanie lokal’noj struktury stekol v sistemakh kremnij-tellur, germanij-tellur i germanij-tellur-mysh’yak s pomoshch’yu messbauerovskoj spektroskopii na primesnykh atomakh olova [Study of the local structure of glasses in silicon-tellurium, germanium-tellurium and germanium-tellurium-arsenic systems using Mössbauer spectroscopy on impurity tin atoms]. Fizika i khimiya stekla — Glass Physics and Chemistry, 3 (4), 328–331. (In Russian)
Shelby, R. M., Raoux, S. (2009) Crystallization dynamics of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5. Journal of Applied Physics, 105 (10), article 104902. https://doi.org/10.1063/1.3126501 (In English)
Siegrist, T., Jost, P., Volker, H. et al. (2011) Disorder-induced localization in crystalline phase-change materials. Nature Materials, 10 (3), 202–208. https://doi.org/10.1038/nmat2934 (In English)
Sousa, V. (2011) Chalcogenide materials and their application to Non-Volatile Memories. Microelectronic Engineering, 88 (5), 807–813. https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.06.042 (In English)
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2021 Юрий Александрович Петрушин, Алла Валентиновна Марченко, Павел Павлович Серегин
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.
Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
