Структура валентной зоны в PbSb2Te4 и анизотропия времени релаксации дырок

Авторы

  • Сергей Александрович Немов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого https://orcid.org/0000-0001-7673-6899
  • Валентина Дмитриевна Андреева Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого https://orcid.org/0000-0001-6085-4153
  • Виталий Волхин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова
  • Виктория Юрьевна Проклова Забайкальский государственный университет
  • Юрий Владимирович Улашкевич Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН

DOI:

https://doi.org/10.33910/2687-153X-2021-2-4-165-171

Ключевые слова:

кристалл PbSb2Te4, полупроводник, транспортные свойства, температура, зонная структура, поверхность Ферми, ИК-рефлексия, рентгеновские исследования

Аннотация

В статье проведен анализ имеющегося набора данных по температурным зависимостям основных кинетических коэффициентов и спектров ИК R(ν) кристаллов PbSb2Te4. Обсуждается форма поверхности Ферми, оценена анизотропия эффективной массы дырок и времени релаксации. Подтверждено сложное строение валентной зоны, уточнены значения соответствующих параметров. Комплексные рентгеноструктурные исследования структуры и состава образцов PbSb2Te4 дали возможность уточнить реальную кристаллическую структуру и объяснить ряд особенностей в спектрах ИК-отражения.

Complex X-ray studies of the structure and composition of PbSb2Te4 samples gave the possibilities to clarify the real crystal structure and explain the number of features in the IR-reflection spectra.

Библиографические ссылки

Goltsman, B. M., Kudinov, V. A., Smirnov, I. A. (1972) Poluprovodnikovye termoelektricheskie materialy na osnove Bi2Te3 [Semiconductor thermoelectric materials based on Bi2Te3]. Moscow: Nauka Publ., 320 p. (In Russian)

Nemov, S. A., Blagikh, N. M., Dzhafarov, M. B. (2014) Effect of interband scattering on transport phenomena in p-PbSb2Te4. Semiconductors, 48 (8), 999−1005. https://doi.org/10.1134/S1063782614080193 (In English)

Nemov, S. A., Blagikh, N. M., Shelimova, L. E. (2013) Features of the energy spectrum and hole-scattering mechanisms in PbSb2Te4. Semiconductors, 47 (1), 16−21. https://doi.org/10.1134/S106378261301017X (In English)

Nemov, S. A., Ulashkevich, Yu. V., Pogumirsky, M. V., Stepanova, O. S. (2020) Reflection from the Side Face of a PbSb2Te4 Crystal. Semiconductors, 54 (3), 282−284. https://doi.org/10.1134/S1063782620030161 (In English)

Nemov, S. A., Ulashkevich, Yu. V., Povolotskii, A. V., Khlamov, I. I. (2016) Reflectance of a PbSb2Te4 crystal in a wide spectral range. Semiconductors, 50 (10), 1322−1326. https://doi.org/10.1134/S1063782616100183 (In English)

Shelimova, L. E., Karpinskii, O. G., Svechnikova, T. E. et al. (2004) Synthesis and structure of layered compounds in the PbTe−Bi2Te3 and PbTe−Sb2Te3 systems. Inorganic Materials, 40 (12), 1264−1270. https://doi.org/10.1007/s10789-005-0007-2 (In English)

Shelimova, L. E., Svechnikova, T. E., Konstantinov, P. P. et al. (2007) Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb2Te4 and PbBi4Te7. Inorganic Materials, 43 (2), 125−131. https://doi.org/10.1134/S0020168507020057 (In English)

Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Shelimova, L. E. et al. (2008) Thermopower anisotropy in the layered compound PbSb2Te4. Physics of the Solid State, 50 (1), 6−8. https://doi.org/10.1134/S1063783408010022 (In English)

Опубликован

2021-12-30

Выпуск

Раздел

Physics of Semiconductors