Исследование свойств гетероструктур на основе оксида цинка

Авторы

  • Андрей Романович Семенов Рязанский государственный радиотехнический университет им. В. Ф. Уткина https://orcid.org/0000-0003-2780-5661
  • Татьяна Андреевна Холомина Рязанский государственный радиотехнический университет им. В. Ф. Уткина https://orcid.org/0000-0003-3902-618X
  • Владимир Георгиевич Литвинов Рязанский государственный радиотехнический университет им. В. Ф. Уткина https://orcid.org/0000-0001-6122-8525
  • Александр Валерьевич Ермачихин Рязанский государственный радиотехнический университет им. В. Ф. Уткина https://orcid.org/0000-0002-3808-9691

DOI:

https://doi.org/10.33910/2687-153X-2021-2-4-172-179

Ключевые слова:

поверхностные состояния, гетероструктуры, ZnO, вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики

Аннотация

В работе представлены результаты экспериментального исследования электрических свойств поликристаллических гетероструктур на основе ZnO. Смоделированы ВФХ гетероструктур In/ZnO/n-Si/Al и Au/ZnO/n-Si/Al. Исследовано влияние материала верхних контактов и технологии отжига на характеристики структуры. Проанализировано влияние поверхностных состояний согласно применяемой теоретической модели. Получена эмпирическая зависимость поверхностного потенциала в кремнии от приложенного к структуре напряжения.

Библиографические ссылки

Ellmer, K., Klein, A., Rech, B. (eds.). (2008) Transparent conductive zinc oxide. Basics and applications in thin film solar cells. Berlin; Heidelberg: Springer Verlag, 445 p. https://doi.org/10.1007/978-3-540-73612-7 (In English)

Gromov, D. G., Koz’min, A. M., Shulyat’ev, A. S. et al. (2013) Effect of the formation conditions on the properties of ZnO:Ga thin films deposited by magnetron-assisted sputtering onto a cold substrate. Semiconductors, 47 (13), 1687–1691. https://doi.org/10.1134/S1063782613130083 (In English)

Kaidashev, E. M., Lorenz, M., von Wenckstern, H. et al. (2003) High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition. Applied Physics Letters, 82 (22), 3901–3903. https://doi.org/10.1063/1.1578694 (In English)

Litvinov, V. G., Semenov, A. R., Kholomina, T. A. et al. (2018) Issledovanie spectra poverkhnostnykh sostoyanij na granitse razdela geterostruktury ZnO/Si [Investigation of surface spectra on ZnO/Si interface]. Vestnik Ryazanskogo gosudarstvennogo radiotekhnicheskogo universiteta — Vestnik of Ryazan State Radio Engineering University, 4 (66-2), 9–14. https://doi.org/10.21667/1995-4565-2018-66-4-2-9-14 (In Russian)

Muller, R. S., Chan, M., Kamins, T. I. (2003) Device electronics for integrated circuits. 3rd ed. New York: Wiley Publ., 528 p. (In English)

Oreshkin, P. T. (1977) Fizika poluprovodnikov i dielektrikov [Physics of semiconductors and dielectrics]. Moscow: Vysshaya shkola Publ., 448 p. (In Russian).

Pearson, K. (1895) Note on regression and inheritance in the case of two parents. Proceedings of the Royal Society of London, 58 (347–352), 240–242. https://doi.org/10.1098/rspl.1895.0041 (In English)

Pearton, S. J., Norton, D. P., Ip, K. et al. (2005) Recent progress in processing and properties of ZnO. Progress in Materials Science, 50 (3), 293–340. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2004.04.001 (In English)

Pintilie, L., Pintilie, I. (2001) Ferroelectrics: New wide-gap materials for UV detection. Materials Science and Engineering: B., 80 (1–3), 388–391. https://doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00605-X (In English)

Semenov, A. R., Litvinov, V. G., Kholomina, T. A. et al. (2018) Investigating and modeling high frequency C-V characteristics of zinc oxide-based heterostructures. In: 7th Mediterranean Conference on Embedded Computing: (MECO–2018). Budva: IEEE Publ., pp. 1–4. https://doi.org/10.1109/MECO.2018.8405999 (In English)

Sze, S. M. (1981) Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed. New York: Wiley Publ., 868 p. (In English)

Загрузки

Опубликован

2021-12-30

Выпуск

Том 2 № 4 (2021)

Раздел

Physics of Semiconductors

Лицензия

Copyright (c) 2021 Андрей Романович Семенов, Татьяна Андреевна Холомина, Владимир Георгиевич Литвинов, Александр Валерьевич Ермачихин

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.

Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.

Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.