Электронная структура наноинтерфейса K/ALN
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2022-3-1-21-24Ключевые слова:
нитриды III группы, нитрид алюминия (AlN), интерфейсы, поверхность, фотоэлектронная спектроскопия, электронная структураАннотация
Электронная структура поверхности AlN и ультратонкого интерфейса K/AlN исследовалась с помощью фотоэлектронной спектроскопии in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Спектры остовных уровней N 1s, Al 2p и K 3p и валентной зоны были исследованы для чистой поверхности AlN и для интерфейса K/AlN в режиме субмонослойных покрытий K. При адсорбции К были обнаружены существенные изменения во всех спектрах. Обнаружены поверхностные состояния в области валентной зоны ниже EVBM. Установлено, что интерфейс K/AlN имеет полупроводниковый характер.
Библиографические ссылки
Benemanskaya, G. V., Kukushkin, S. A., Dementev, P. A. et al. (2018a) Synchrotron-based photoemission study of electronic structure of the Cs/GaN ultrathin interface. Solid State Communications, 271, 6–10. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2017.12.004 (In English)
Benemanskaya, G. V., Lapushkin, M. N., Marchenko, D. E., Timoshnev S. N. (2018b) The electronic structure of the Cs/n-GaN(0001) Nano-Interface. Technical Physics Letters, 44 (3), 247–250. https://doi.org/10.1134/S106378501803015X (In English)
Benemanskaya, G. V., Timoshnev, S. N., Ivanov, S. V. et al. (2014) Modification of the electronic structure and formation of an accumulation layer in ultrathin Ba/n-GaN and Ba/n-AlGaN interfaces. Journal of Experimental and Theoretical Physics, 118 (4), 600–610. https://doi.org/10.1134/S1063776114040098 (In English)
DenBaars, S. P., Feezell, D., Kelchner, K. et al. (2013) Development of gallium-nitride-based light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes for energy-efficient lighting and displays. Acta Materiala, 61 (3), 945–951. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2012.10.042 (In English)
Kempisty, P., Strak, P., Sakowski, K. et al. (2020) Ab initio and thermodynamic picture of Al adsorption of AlN(000-1) surface—Role of bond creation and electron transition contributions. Applied Surface Science, 532, article 147419. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147419 (In English)
Kiranjot, Dhawan, R., Gupta, R. K. et al. (2020) Interface asymmetry in AlN/Ni and Ni/AlN interfaces: A study using resonant soft X-ray reflectivity. Applied Surface Science, 529, article 147199. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147199 (In English)
Loughin, S., French, R. H., Ching, W. Y. et al. (1993) Electronic structure of aluminum nitride: Theory and experiment. Applied Physics Letters, 63 (9), 1182–1184. https://doi.org/10.1063/1.109764 (In English)
Magnuson, M., Mattesini, M., Höglund, C. et al. (2009) Electronic structure and chemical bonding anisotropy investigation of wurtzite AlN. Physical Review B, 80 (15), article 155105. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.155105 (In English)
Strak, P., Sakowski, K., Kempisty, P., Krukowski, S. (2015) Structural and electronic properties of AlN(0001) surface under partial N coverage as determined by ab initio approach. Journal of Applied Physics, 118 (9), article 095705. https://doi.org/10.1063/1.4929823 (In English)
Sznajder, M. (2020) DFT-based modelling of carbon adsorption on the AlN surfaces and influence of point defects on the stability of diamond/AlN interfaces. Diamond and Related Materials, 103, article 107694. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2020.107694 (In English)
Taniyasu, Y., Kasu, M. (2008) Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p–n junction diodes. Diamond and Related Materials, 17 (7–10), 1273–1277. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2008.02.042 (In English)
Timoshnev, S., Benemanskaya, G., Iluridze, G., Minashvili, T. (2020) Photoelectron spectroscopy of electronic surface structure of the Cs/GaN and Cs/InN interfaces. Surface and Interface Analysis, 52 (10), 620–625. https://doi.org/10.1002/sia.6801 (In English)
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2022 Сергей Николаевич Тимошнев, Галина Вадимовна Бенеманская
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.
Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
