Нернстовская подвижность дырок в Bi2Te3

Авторы

  • Сергей Александрович Немов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого https://orcid.org/0000-0001-7673-6899
  • Григорий Владимирович Демьянов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • Алексей Валерьевич Поволоцкий Санкт-Петербургский государственный университет

DOI:

https://doi.org/10.33910/2687-153X-2022-3-3-144-148

Ключевые слова:

Теллурид висмута, дырочная проводимость, температурная зависимость, удельная электропроводность, коэффициент термоЭДС, коэффициент Холла, коэффициент Нернста — Эттингсгаузена, механизм рассеяния дырок, нернстовская подвижность, акустические фононы

Аннотация

В настоящей работе представлены результаты исследования удельной электропроводности, коэффициента Холла, Зеебека, поперечного эффекта Нернста — Эттингсгаузена и их анизо­тропии в монокристалле Bi2Te3 с концентрацией дырок p = 1 ∙ 1010-19 см–3 при температурах 77–350 К. Установлено, что рассеяние дырок происходит в основном на длинноволновых акустических фононах. Несмотря на то, что уровень химического потенциала расположен вблизи вершины до­полнительного экстремума валентной зоны, не обнаружено проявлений межзонного рассеяния. Подтверждено сложное строение валентной зоны.

Библиографические ссылки

Goltsman, B. M., Kudinov, V. A., Smirnov, I. A. (1972) Poluprovodnikovye termoelektricheskie materialy na osnove Bi2Te3 [Semiconductor thermoelectric materials based on bismuth telluride Bi2Te3]. Moscow: Nauka Publ., 320 p. (In Russian)

Kolomoets, N. V. (1966) Vliyanie mezhzonnykh perekhodov na termoelektricheskie svojstva veshchestva [Influence of interband transitions on thermoelectric properties of matter]. Fizika tverdogo tela, 8 (4), 997–1003. (In Russian)

Lukyanova, L. N., Kutasov, V. A., Konstantinov, P. P. (2005) Effektivnaya massa i podvizhnost’ v tverdykh rastvorakh p-Bi2−x Sbx Te3−y Sey dlya temperatur < 300 K [Effective mass and mobility in solid solutions of p-Bi2-xSbxTe3-ySey for temperatures < 300 K]. Fizika tverdogo tela, 47 (2), 224–228. (In Russian)

Scheidemantel, T. J., Ambrosch-Draxl, C., Thonhauser, T. et al. (2003) Transport coefficients from first-principles calculations. Physical Review B, 68 (12), article 125210. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.125210 (In English)

Sologub, V. V., Parfenyev, R. V., Goletskaya, A. D. (1975) Struktura valentnoj zony tellurida vismuta [Structure of the valence band of bismuth telluride]. Pis’ma v Zhurnal eksperimental’noj i teoreticheskoj fiziki — JETP Letters, 21 (12), 711–715. (In Russian)

Zhitinskaya, M. K., Kaidanov, V. I., Chernik, I. A. (1966) O neparabolichnosti zony provodimosti tellurida svintsa [On the nonparabolicity of the conduction band of lead telluride]. Fizika tverdogo tela, 8 (1), 295–297. (In Russian)

Загрузки

Опубликован

2022-09-30

Выпуск

Раздел

Physics of Semiconductors