Электротранспорт в тонких модифицированных пленках селенида и сульфида мышьяка
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2023-4-2-68-74Ключевые слова:
модификация, проводимость, энергия активации, халькогенидный стеклообразный полупроводник, одиночная электронная параАннотация
В исследованных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) обнаружен эффект влияния модификации на характер температурной зависимости электропроводности. Величина последней увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны и, соответственно, с увеличением энергии активации. Указанная энергия коррелирует с изменением высоты потенциального барьера на контакте между металлом и халькогенидным стеклообразным полупроводником для различных составов материалов As2Se3 и As2S3. Отмечена существенная роль одиночной пары электронов, принадлежащей атомам модифицирующей примеси. Пара электронов отвечает за реализацию неупорядоченной и дефектной структуры, а также за формирование энергетической системы локальных состояний, оказывающих влияние на процесс переноса носителей заряда.
Библиографические ссылки
Chaudhary, S., Modgil, V., Rangra, V. S. (2020) Effect of compositional variation on physical parameters of quaternary chalcogenide glasses Se69Sn10Ge21-xSbx (6 ≤ x ≤ 14). Journal of Ovonic Research, 16 (1), 41–52. (In English)
Chirita, A., Prilepov, V. (2022) Chalcogenide glassy semiconductors of the system As-Se-S-Sn for X-ray imaging. Chalcogenide Letters, 19 (6), 439–445. (In English)
Chu, J., Sher, A. (2007) Physics and properties of narrow gap semiconductors. New York: Springer Publ., 606 p. https://doi.org/10.1007/978-0-387-74801-6 (In English)
Ghayebloo, M., Tavoosi, M., Rezvani, M. (2017) Compositional modification of Se-Ge-Sb chalcogenide glasses by addition of arsenic element. Infrared Physics & Technology, 83, 62–67. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2017.04.010 (In English)
Gubanov, A. I. (1963) Kvantovo-elektronnaya teoriya amorfnykh provodnikov [Quantum-electronic theory of amorphous conductors]. Moscow; Leningrad: USSR Academy of Sciences Publ., 250 p. (In Russian)
Kazakova, L. P., Lebedev, E. A. (1998) Effect of metal impurities on the drift mobility of charge carriers in glassy chalcogenide semiconductors. Semiconductors, 32 (7), 714–715. https://doi.org/10.1134/1.1187490 (In English)
Kolomiets, B. T., Averianov, V. L., Lyubin, V. M., Prikhodko, O. J. (1982) Modification of vitreous As2Se3. Solar Energy Materials, 8 (1-3), 1–8. (In English)
Mehta, N. (2006) Applications of chalcogenide glasses in electronics and optoelectronics: A review. Journal of Scientific and Industrial Research, 65 (10), 777–786. (In English)
Moynihan, C. T., Gavin, D. L., Syed, R. (1982) Pre-exponential term in the Arrhenius equation for electrical conductivity of glass. Journal de Physique Colloques, 43 (C9), C9-395–C9-398. https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982975 (In English)
Nardone, M., Simon, M., Karpov, I. V., Karpov, V. G. (2012) Electrical conduction in chalcogenide glasses of phase change memory. Journal of Applied Physics, 112 (7), article 071101. https://doi.org/10.1063/1.4738746 (In English)
Nguyen, H. T., Yakubov, A. O., Lazarenkо, P. I. et al (2018) Characteristics of amorphous As2S3 semiconductor films obtained via spin coating. Semiconductors, 52 (15), 1963–1968. https://doi.org/10.1134/S1063782618150058 (In English)
Zhang, X. G., Pantelides, S. T. (2012) Theory of space charge limited currents. Physical Review Letters, 108 (26), article 266602. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.266602 (In English)
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2023 Аванесян Вачаган Тигранович
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.
Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
