Флуоресценция пленок нанокристаллов Pb1-хCdхSe
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2020-1-2-70-73Ключевые слова:
флуоресценция, нанокристаллические пленки, полупроводниковые соединения, твердые растворы, квантовые точки, морфология поверхности, спектр люминесценции, ширина запрещенной зоныАннотация
Интерес к структурам халькогенидов свинца обусловлен возможностью использования нанокристаллических пленок селенидов свинца, например Pb1-хCdхSe, в качестве быстрых и компактных источников излучения инфракрасного диапазона с низким энергопотреблением. Кроме того, пленки PbSe, окисленные в атмосфере кислорода, могут служить приемниками оптического излучения инфракрасного диапазона в газовых сенсорах.
Библиографические ссылки
Bestaev, M. V., Makhin, A. V., Moshnikov, V. A., Tomaev, V. V. (2000) Sposob prigotovleniya shikhty dlya polucheniya tverdykh rastvorov hal’kogenidov svintsa i olova parofaznymi metodami [Process of preparation of charge to produce solid solutions of chalcogenides of lead and tin by para-phase methods]. Patent RU2155830. Register date 10.09.2000. Granted by Rospatent. (In Russian)
Gamarts, A. E., Moshnikov, V. A., Chesnokova, D. B. (2006) Photoluminescence in the Pb1−xCdxSe polycrystalline layers activated in the presence of iodine vapor. Semiconductors, 40 (6), 662–664. DOI: 10.1134/S1063782606060091 (In English)
Henry, Ch. H. (1993) The origin of quantum wells and the quantum well laser. In: Zory, P. S. Jr. (ed.). Quantum well lasers. Boston: Academic Press, pp. 1–16. (In English)
Nepomnjashchij, S. V., Pogodina, S. B., Shelekhin, Ju. L., Maksjutenko, M. A. (2003) Infrakrasnyj poluprovodnikovyj izluchatel’ [Semiconductor infrared radiator]. Patent RU2208268. Register date 10.07.2003. Granted by Rospatent. (In Russian)
Nepomnyaschij, S. V., Pashkevich, A. V., Shelekhin, Yu. A., Dijkov, L. K. (1984) Fotoluminestsentsia polikristallicheskikh plenok Pb1−xCdxSe [Photoluminescence of polycrystalline films Pb1−xCdxSe)]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov— Semiconductors or Physics of the Solid State, 18 (12), 2233–2235. (In Russian).
Tomaev, V. V. (2009) Ferroelectric phase transition in the PbSe + PbSeO3 composite. Glass Physics and Chemistry, 35 (6), 660–667. DOI: 10.1134/S1087659609060169 (In English)
Yunovich, À. E., Averyushkin, A. S., Drozd, I. A., Ogneva, V. G. (1979) Zavisimost’ vynuzhdennogo izlucheniya tonkikh plenok PbS1−xSex ot temperatury v intervale 50–300 K [Dependence of the induced radiation of thin films PbS1-xSex on temperature in the range of temperatures 50–300 K]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov— Semiconductor Physics and Technology, 13 (9), 1694–1700. (In Russian)
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2020 Владимир Анатольевич Полищук, Владимир Владимирович Томаев, Александра Юрьевна Сергиенко
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.
Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
