Диэлектрические свойства тонкопленочных нанокомпозитов типа металл/диэлектрик на базе нитридов циркония
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2024-5-4-177-186Ключевые слова:
гетерогенные материалы, диэлектрическая спектроскопия, диэлектрическая релаксация, оксинитриды циркония, тонкие пленкиАннотация
Синтезированы пленки оксинитрида циркония методом напыления нитрида циркония с последующим атмосферным отжигом до оксинитрида. Полученные пленки исследованы методом диэлектрической спектроскопии. Показано, что температура отжига влияет на диэлектрические свойства пленки. Атмосферный отжиг приводит к дисперсии диэлектрической проницаемости и релаксационным процессам. Нелинейный характер температурной зависимости времени релаксации и различие времен релаксации образцов являются проявлениями их гетерогенной структуры и размерного эффекта структуры металл/диэлектрик.
Библиографические ссылки
Carvalho, P., Chappe, J. M., Cunha, L. et al. (2008) Influence of the chemical and electronic structure on the electrical behavior of zirconium oxynitride films. Journal of Applied Physics, 103 (10), article 104907. https://doi.org/10.1063/1.2927494 (In English)
Cole, K. S., Cole, R. H. (1941) Dispersion and absorption in dielectrics I. Alternating current characteristics. The Journal of Chemical Physics, 9 (4), 341–351. https://doi.org/10.1063/1.1750906 (In English)
Courts, S. S., Swinehart, P. R. (2003) Review of CernoxTM (zirconium oxy-nitride) thin-film resistance temperature sensors. AIP Conference Proceedings, 684 (1), 393–398. https://doi.org/10.1063/1.1627157 (In English)
Da Silva-Oliveira, C. I., Martinez-Martinez, D., Apreutesei, M. et al. (2018) Thermal stability of Zr-O-N(:Ti) thin films prepared by magnetron sputtering. Vacuum, 151, 148–155. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.02.002 (In English)
Khan, I. A., Kashif, M., Farid, A. et al. (2017) Effect of annealing temperature on the structural, morphological, and mechanical properties of polycrystalline zirconium oxynitride composite films deposited by plasma focus device. Japanese Journal of Applied Physics, 56 (12), article 125501. https://doi.org/10.7567/JJAP.56.125501 (In English)
Mohamed, S. H., Hadia, N. M. A., Ali, H. M. (2015) Effect of annealing on properties of decorative zirconium oxynitride thin films. European Physical Journal Applied Physics, 69 (3), article 30301. https://doi.org/10.1051/epjap/2015140475 (In English)
Streibel, V., Schonecker, J. L., Wagner, L. I. et al. (2024) Zirconium oxynitride thin films for photoelectrochemical water splitting. ACS Applied Energy Materials, 7 (9), 4004–4015. https://doi.org/10.1021/acsaem.4c00303 (In English)
You, M., Li, Y., Zhang, H. et al. (2022) The mechanism of phase transition induced by oxygen doping in zirconium nitride thin films. Journal of Materials Science, 57 (4), 18456–18467. https://doi.org/10.1007/s10853-022-07182-z (In English)
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2024 Артур Альбертович Галиуллин, Иван Владимирович Лунев, Амир Илдусович Гумаров, Игорь Витальевич Янилкин
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.
Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
