Диэлектрическая спектроскопия нанокристаллических пленок VO2

Авторы

  • Рене Алехандро Кастро Арата Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена https://orcid.org/0000-0002-1902-5801
  • Александр Валентинович Ильинский Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе
  • Владимир Александрович Климов Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе https://orcid.org/0000-0002-9096-7594
  • Марина Эрнстовна Пашкевич Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого https://orcid.org/0000-0002-3373-4129
  • Евгений Борисович Шадрин Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе https://orcid.org/0000-0002-1423-2852

DOI:

https://doi.org/10.33910/2687-153X-2022-3-1-43-50

Ключевые слова:

диэлектрическая спектроскопия, пленки диоксида ванадия, VO2, фазовый переход полупроводник — металл, корреляционные эффекты

Аннотация

Методом диэлектрической спектроскопии впервые исследованы нетривиальные особенности размерных зависимостей параметров фазовых превращений в нанокристаллитах пленок VO2. Метод позволяет идентифицировать электрофизические параметры наборов нанокристаллитов в пленках VO2 разного размера, расположенных в случайном порядке на поверхности подложки. Исследована мартенситная природа механизма фазового перехода Мотта — Пайерлса полупро­водник — металл в кристаллических пленках VO2.

Библиографические ссылки

Castro, R. A., Ilinskij, A. V., Pashkevich, M. E. et al. (2021) Dielektricheskaya spektroskopiya soedinenij sil’nokorrelirovannykh elementov [Dielectric spectroscopy of compounds of strongly correlated elements]. Saint Petersburg: Fora-print Publ., 54 p. (In Russian)

Gatti, M., Bruneval, F., Olevano, V., Reining, L. (2007) Understanding correlations in vanadium dioxide from first principles. Physical Review Letters, 99 (26), article 266402. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.266402 (In English)

Il’inskiy, A. V., Pashkevich, M. E., Shadrin, E. B. (2017) Stage-by-stage modeling of the mechanism of semiconductor– metal phase transition in vanadium dioxide. St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, 3 (3), 181–186. https://doi.org/10.1016/j.spjpm.2017.09.002 (In English)

Ilinskiy, A. V., Kastro, R. A., Pashkevich, M. E., Shadrin, E. B. (2020) Dielectric spectroscopy and mechanism of the semiconductor–metal phase transition in doped VO2:Ge and VO2:Mg Films. Semiconductors, 54 (4), 403–411. https://doi.org/10.1134/S1063782620040077 (In English)

Ilinskiy, A. V., Kvashenkina, O. E., Shadrin, E. B. (2012) Nature of the electronic component of the thermal phase transition in VO2 films. Semiconductors, 46 (9), 1171–1185. https://doi.org/10.1134/S1063782612090096 (In English)

Mott, N. F. (1997) Metal-insulator transitions. London: Taylor and Francis Publ., p. 286. (In English)

Prokhorov, A. M. (ed.). (1994) Fizicheskaya entsiklopediya. T. 4: Pojntinga — Robertsona strimery [Physical encyclopedia. Vol. 4: Pointing—Robertson streamers]. Moscow: Bol’shaya Rossijskaya entsiklopediya Publ., 704 p. (In Russian)

Shadrin, E. B., Il’inskii, A. V. (2000) On the nature of metal–semiconductor phase transition in vanadium dioxide. Physics of the Solid State, 42 (6), 1126–1133. https://doi.org/10.1134/1.1131328 (In English)

Загрузки

Опубликован

2022-04-14

Выпуск

Том 3 № 1 (2022)

Раздел

Physics of Semiconductors

Лицензия

Copyright (c) 2022 Рене Алехандро Кастро Арата, Александр Валентинович Ильинский, Владимир Александрович Климов, Марина Эрнстовна Пашкевич, Евгений Борисович Шадрин

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.

Автор предоставляет материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY-NC 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате, но с обязательным указанием авторства и только в некоммерческих целях. После публикации все статьи находятся в открытом доступе.

Авторы сохраняют авторские права на статью и могут использовать материалы опубликованной статьи при подготовке других публикаций, а также пользоваться печатными или электронными копиями статьи в научных, образовательных и иных целях. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.