Электронный обмен между центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка
DOI:
https://doi.org/10.33910/2687-153X-2020-1-2-61-69Ключевые слова:
халькогенидное стекло, легирующие атомы железа, электронный обмен, мессбауэровская спектроскопияАннотация
Атомы железа в стеклообразных пленках селенида мышьяка образуют одиночные донорные центры, при этом уровень Ферми смещается от середины запрещенной зоны ко дну зоны проводимости с увеличением концентрации железа за счет заполнения одиночных электронных состояний акцепторного типа, расположенных ниже уровня Ферми. Методом мессбауэровской спектроскопии исследован электронный обмен между ионизованным и нейтральным центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка.
Библиографические ссылки
Bobokhuzhaev, K. U., Rabchanova, T. Yu., Seregin, P. P., Shaldenkova, A. V. (2015) Elektricheskaya aktivnost’ primesnykh atomov zheleza v stekloobraznykh selenidakh mysh’yaka [Electrical activity of iron impurity atoms in vitreous arsenic selenide]. Izvestiya Rossijskogo gosudarstvennogo pedagogicheskogo universiteta im. A. I. Gertsena — Izvestia: Herzen University Journal of Humanities & Sciences, 176, 61–71. (In Russian)
Marchenko, A. V, Luzhkov, A. A., Rasnyuk, A. N. et al. (2017) Electron exchange between dopant iron sites in glass films of arsenic selenide. Glass Physics and Chemistry, 43, 158–162. DOI: 10.1134/S1087659617020092 (In English)
Marchenko, A. V., Rabchanova, T. Yu., Seregin, P. P. et al. (2016) Origin of the electrical activity of iron atoms in vitreous arsenic selenide. Glass Physics and Chemistry, 42, 246–250. DOI: 10.1134/S1087659616030081 (In English)
Marchenko, A. V., Terukov, E. I., Egorova, A. Yu. et al. (2017) Electron exchange between neutral and ionized impurity iron centers in vitreous arsenic selenide. Semiconductors, 51, 449–453. DOI: 10.1134/S1063782617040133 (In English)
Marchenko, A., Nasredinov, F., Seregin, P. (2018) Dynamics of the two-electron processes in impurity semiconductors. Mössbauer spectroscopy of impurity centers of tin and germanium in crystalline and glassy chalcogenide semiconductors. Beau Bassin: LAP Lambert Academic Publishing, 390 p. (In English)
Turaev, E. Yu., Seregin, P. P., Nasredinov, F. S. (1990) Tin and iron impurity atom states in modified As2Se3 films. Physica Status Solidi (B), 161 (1), 287–292. DOI: 10.1002/pssb.2221610128 (In English)
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Copyright (c) 2020 Кудрат Умарович Бобохужаев, Алла Валентиновна Марченко, Павел Павлович Серегин
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция — Некоммерческое использование») 4.0 Всемирная.
Авторы предоставляют материалы на условиях публичной оферты и лицензии CC BY 4.0. Эта лицензия позволяет неограниченному кругу лиц копировать и распространять материал на любом носителе и в любом формате в любых целях, делать ремиксы, видоизменять, и создавать новое, опираясь на этот материал в любых целях, включая коммерческие.
Данная лицензия сохраняет за автором права на статью, но разрешает другим свободно распространять, использовать и адаптировать работу при обязательном условии указания авторства. Пользователи должны предоставить корректную ссылку на оригинальную публикацию в нашем журнале, указать имена авторов и отметить факт внесения изменений (если таковые были).
Авторские права сохраняются за авторами. Лицензия CC BY 4.0 не передает права третьим лицам, а лишь предоставляет пользователям заранее данное разрешение на использование при соблюдении условия атрибуции. Любое использование будет происходить на условиях этой лицензии. Право на номер журнала как составное произведение принадлежит издателю.
